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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3596
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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