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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
59
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
59
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2128
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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