Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Puntuación global

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.9 10.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.6 7.9

Valor medio en las pruebas

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

37 43

En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

43 37
Velocidad de lectura, GB/s

14.9 10.4
Velocidad de escritura, GB/s

9.6 7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps

12800 17000

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2506 2230

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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