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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
43
En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2461
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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