RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
58
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
58
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
1968
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link