RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2637
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link