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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2806
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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