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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
59
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2394
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Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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