RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
59
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3245
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link