RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
59
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
4181
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link