RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
59
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2755
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link