RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En -111% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2640
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link