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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3209
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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