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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
59
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
21.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
4042
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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