RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
59
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
21.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
4042
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link