RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3312
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link