RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2907
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link