RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
65
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
65
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
1824
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link