RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2919
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link