RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
59
En -211% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3110
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link