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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2618
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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