RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2994
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link