RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
59
En -69% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3246
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link