RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3519
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link