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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
59
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2419
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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