RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
59
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2414
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link