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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
62
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
62
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2138
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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