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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2045
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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