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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
59
En -74% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Kingston 9905624-009.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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