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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
59
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2252
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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