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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
59
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2031
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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