RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
66
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
66
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
1737
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link