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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
59
En -26% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
47
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2576
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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