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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
59
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2848
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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