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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
59
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3256
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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