RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
59
En -7% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2653
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link