RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
64
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2052
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Informar de un error
×
Bug description
Source link