RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En -119% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2594
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link