RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
59
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2100
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link