RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
59
En -13% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
52
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2625
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link