RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
59
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2411
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link