RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3065
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link