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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
69
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2814
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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