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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
69
98
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
98
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
1679
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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