RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
69
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3384
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link