RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
69
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3010
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link