RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2940
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link