RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3100
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link