RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3234
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link