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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3091
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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