RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3291
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link